Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH6200
IRFH6200TRPBF Hakkında
IRFH6200TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile tasarlanmış olup, 49A sürekli akım (Ta) ve 100A (Tc) kapasite sunar. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençli (RDS(on): 0.95mΩ @ 10V) yapısı sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Hızlı komütasyon özelliği ve düşük kapasite değerleri, yüksek frekanslı anahtarlama tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10890 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok