Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5406TR2PBF

MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH5406

IRFH5406TR2PBF Hakkında

IRFH5406TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajına dayanıklı olup, maksimum 40A drain akımı (Tc'de) sağlayabilir. 10V kapı geriliminde 35nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. RDS(on) değeri 14.4mOhm (24A, 10V'da) olarak belirtilmiştir. 5x6mm PQFN (8-PowerVDFN) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve hız kontrol uygulamalarında kullanılır. 4V kapı eşik gerilimi ile düşük voltaj sinyalleri tarafından kontrol edilebilir. Surface mount montaj tipi sayesinde otomatik üretim süreçlerine uyumludur. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1256 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok