Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5303TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH5303

IRFH5303TR2PBF Hakkında

IRFH5303TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 23A (Ta) / 82A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-PQFN (5x6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri, düşük gerilim DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. NOT: Bu ürün üretim dışına çıkmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 82A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok