Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5302DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5302
IRFH5302DTRPBF Hakkında
IRFH5302DTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 29A (Ta)/100A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.5mΩ (10V, 50A'de) düşük RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. PQFN (5x6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 55nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Devre tasarımlarında yüksek verimli anahtarlama ve güç yönetimi uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3635 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) Single Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok