Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5302DTR2PBF

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH5302

IRFH5302DTR2PBF Hakkında

IRFH5302DTR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltaj ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ on-resistance (@50A, 10V) düşük kayıp işlemini sağlar. Surface mount 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate-threshold voltajı 2.35V (@100µA) olup, hızlı anahtarlama için düşük gate charge (55nC @10V) karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3635 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6) Single Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok