Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5220TRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRFH5220

IRFH5220TRPBF Hakkında

IRFH5220TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 3.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 10V gate sürüş voltajında 99.9mOhm on-direnci sunar. PQFN 8-pin SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 30nC gate yükü ve düşük input kapasitansuyla hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok