Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5220TR2PBF

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRFH5220

IRFH5220TR2PBF Hakkında

IRFH5220TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drain akımı ile karakterize edilmiştir. 99.9mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-VQFN (5x6mm) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, LED uygulamaları ve anahtarlama regülatörleri gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok