Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5215TRPBF

MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRFH5215

IRFH5215TRPBF Hakkında

IRFH5215TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 27A sürekli akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 58mΩ on-resistance (10V gate voltajında) ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 8-VQFN (5x6mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, AC/DC konvertörler, DC/DC regulatörler, motor sürücü devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan 104W güç disipasyon kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok