Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5215TR2PBF

MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRFH5215

IRFH5215TR2PBF Hakkında

IRFH5215TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 58mΩ RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sunar. Surface Mount teknolojisi ile 8-VQFN Exposed Pad paketinde sunulur. 32nC gate charge (Qg) ve 1350pF input capacitance (Ciss) parametreleriyle hızlı anahtarlamaya uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 5V gate threshold voltajı (Vgs(th)) ile lojik seviyesi uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok