Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5210TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5210
IRFH5210TRPBF Hakkında
IRFH5210TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 55A sürekli akım özelliğine sahiptir. 8-pin PowerVDFN (5x6) yüzey montajı paket tipi ile sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrollerinde ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 14.9mΩ gate-source direnç değeri (Rds On) ile düşük kayıp özellikleri sağlayan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıklarında stabil performans göstermektedir. 10V drive voltajı ile standard lojik seviyeleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok