Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH5210

IRFH5210TR2PBF Hakkında

IRFH5210TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 14.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. PowerVDFN 8-pin paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve regülatör uygulamalarında tercih edilir. 59nC gate charge ve 2570pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliği gösterir. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı yoğun PCB düzenlemeleri için uygundur. Not: Bu ürün yaşam döngüsü sona ermiş (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok