Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5110
IRFH5110TRPBF Hakkında
IRFH5110TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 11A kontinü drain akımı (Ta) kapasitesine sahip olup, 63A'e kadar akım taşıyabilir. 12.4mOhm'luk düşük on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybı minimuma indirilir. 8-PowerVDFN (5x6mm) Surface Mount paketi içerisinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme gerilimi ile kontrolü kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3152 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok