Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5110TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5110
IRFH5110TR2PBF Hakkında
IRFH5110TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim derecesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşendir. 11A sürekli dren akımı (Ta@25°C) ve 12,4mOhm On-Resistance (Rds On) özelliği ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Surface Mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (72nC @ 10V) özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3152 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok