Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH5025TR2PBF

MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH5025

IRFH5025TR2PBF Hakkında

IRFH5025TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim ve 3.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 100mOhm on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-PQFN (5x6mm) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. Gate charge 56nC ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. 5V eşik gerilim değeri ile lojik seviyesi uygun uygulamalara uygundur. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok