Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5010TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5010
IRFH5010TR2PBF Hakkında
IRFH5010TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mOhm drain-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 4V gate-source eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 98nC gate charge ve 4340pF input kapasitansı parametreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Surface mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok