Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH4210DTRPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH4210
IRFH4210DTRPBF Hakkında
IRFH4210DTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 25V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 44A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 1.1mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5V sürücü geriliminde çalışan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve elektrik pil yönetim sistemlerinde kullanılır. Surface Mount PQFN (5x6) pakette sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 3.5W (Ta) ile 125W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4812 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok