Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH4209
IRFH4209DTRPBF Hakkında
IRFH4209DTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ile 44A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 260A ani akım sağlayabilir. 1.1mOhm RDS(on) değeri ile düşük elektrik direnci sunarak enerji kayıplarını minimize eder. 8-PowerTDFN (PQFN 5x6) yüzey montajlı paketinde sağlanan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 125W güç kayıp kapasitesi (TJ) ile sağlam termik yönetim sunar. Düşük kapı yükü (74nC @ 10V) hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Ta), 260A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4620 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok