Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH3707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH3707

IRFH3707TRPBF Hakkında

IRFH3707TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli (Ta'da) / 29A (Tc'de) drain akımı kapasitesi ile düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12.4mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile düşük kaybı sağlayan bu bileşen, motorlar, güç yönetimi, LED sürücüler ve DC-DC konvertörler gibi anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-PQFN (3x3) paketi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici ürünlerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok