Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH3707TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH3707
IRFH3707TR2PBF Hakkında
IRFH3707TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 12A (Ta) / 29A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 12.4mΩ olup, düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimalize eder. 8-PQFN (3x3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtar uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık bölgesinde kullanılabilir. 2.8W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Kompakt tasarımı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 755 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok