Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF433

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF433

IRFF433 Hakkında

IRFF433, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.25A sürekli drain akımı kapasitesine ve 2Ohm maksimum RDS(on) direncine sahiptir. Gate charge 30nC olup, ±20V gate-source voltajı aralığında çalışır. TO-205AF (TO-39) metal kasa paketi ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 25W güç dağıtabilmesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok