Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF423

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF423

IRFF423 Hakkında

IRFF423, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 1.4A sürekli drain akımı ve 4Ω on-resistance değerleri ile güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-205AF metal kaplı gövdede sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate drive gerilimi ile kontrol edilebilen cihaz, 20W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Düşük kapasitans ve hızlı gate charge özellikleri sayesinde yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında etkin bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok