Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF322

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF322

IRFF322 Hakkında

IRFF322, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. TO-205AF metal kanusu paketlemesinde sunulan IRFF322, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtar modlu güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 20W güç saçılımına toleranslıdır. 10V gate sürüş gerilimi ile TTL/CMOS mantık seviyelerinden doğrudan tahrik edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok