Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF321

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF321

IRFF321 Hakkında

IRFF321, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir komponenttir. 10V drive voltage'da 1.8Ω maksimum RDS(On) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-205AF (TO-39) metal kasa ile PCB'ye montajlanır. Endüstriyel kontrol devreleri, switch mode güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok