Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF223

3.0A, 150V, 1.2 OHM, N-CHANNEL P

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF223

IRFF223 Hakkında

IRFF223, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-205AF metal kasa içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. 10V gate sürüş voltajı ve 15nC gate yükü ile hızlı ve verimli anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok