Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFF222
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFF222
IRFF222 Hakkında
IRFF222, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli dren akımı (Id) ile çalışabilen bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-205AF metal kutu paketi içinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1.2Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj değeri (Qg) 15nC olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok