Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFF221
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFF221
IRFF221 Hakkında
IRFF221, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. TO-205AF metal kap paketinde sunulan bu FET, 800mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ve 20W güç tüketimi özelliklerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan IRFF221, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V drive gerilimi ile kontrol edilen bu transistör, 15nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok