Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF213

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF213

IRFF213 Hakkında

IRFF213, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 150V drain-source voltaj kapasitesiyle ve 1.8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.4Ohm maksimum gate-source direnç ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. TO-205AF metal kaplı DIP paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 15W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle motor kontrol, güç kaynağı tasarımları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok