Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFF211
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFF211
IRFF211 Hakkında
IRFF211, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-205AF metal kutu paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama dönüştürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok