Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFF111

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
IRFF111

IRFF111 Hakkında

IRFF111, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 3.5A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. Maksimum 600mΩ On-Resistance değeri sayesinde düşük kayıp işlemlerde uygundur. 15W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve genel güç elektronikleri tasarımlarında kullanılır. TO-205AF (TO-39) metal kasa ile sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok