Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFDC20PBF
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFDC20
IRFDC20PBF Hakkında
IRFDC20PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 320mA sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.4Ω maksimum Rds(On) değeri ile güç kayıplarını sınırlandırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimleme yapılabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve yüksek voltaj kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. Gate Charge değeri 18nC olup hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 320mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok