Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9220PBF

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9220

IRFD9220PBF Hakkında

IRFD9220PBF, Vishay tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim kapasitesi ile 560mA sürekli drenaj akımı sağlar. 4DIP through-hole paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 1.5Ω on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri, kontrol devreler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 560mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok