Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9210PBF
MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9210
IRFD9210PBF Hakkında
IRFD9210PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 400mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 3Ohm maksimum kanal direnci (Rds On) ile karakterize edilir. Through-hole montaj tipi 4-DIP paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. 1W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve ses amplifikatörü çıkış aşamaları gibi alanlarda kullanılır. 8.9nC gate charge ve 170pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 240mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok