Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9210

MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9210

IRFD9210 Hakkında

IRFD9210, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj, 400mA sürekli dren akımı ve 3Ohm RDS(on) değeri ile karakterize edilmiştir. Through-hole 4-HVMDIP paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor kontrol uygulamaları ve düşük sinyal seviyeleri için gate sürüsü gerektiren devrelerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. Maksimum gate voltajı ±20V olup, maksimum gate charge 8.9nC@10V'dir. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 240mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok