Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9123
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9123
IRFD9123 Hakkında
IRFD9123, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesi ile elektronik devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4-HVMDIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 600mOhm (10V, 600mA) on-state direnci ve 18nC gate charge değerleri ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate kapasitesi (390pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Bileşen obsolete statüsündedir ve yalnızca arşiv veya yedeğe ihtiyaç duyan projelerde tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok