Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9120PBF

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9120

IRFD9120PBF Hakkında

IRFD9120PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 1A sürekli drain akımı ve 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında çalışan uygulamalar için tasarlanmıştır. 4-pin DIP konfigürasyonunda Through-Hole montajına uygun olan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge değeri 18nC ve input capacitance 390pF olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi ve aydınlatma uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok