Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9120

IRFD9120 Hakkında

IRFD9120, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim ve 1A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V drive voltajında 600mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Through Hole montaj için 4-HVMDIP paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi destekler ve 18nC gate charge değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı elektronik devrelerde kullanılır. Düşük RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Halen üretilmemekte olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok