Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9120
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9120
IRFD9120 Hakkında
IRFD9120, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 1A sürekli dren akımı kapasitesi sunar. 4DIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.3W güç tüketimi ve 600mΩ on-state direnci özelliğiyle, düşük güç tüketimi gereken sistemlerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Kompakt yapısı sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uyum sağlar. Bileşen mevcut üretiminde bulunmamakla birlikte, stok uygulamalarında ve legacy sistem tasarımlarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok