Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9113
-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9113
IRFD9113 Hakkında
IRFD9113, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 600mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 1.6Ohm RdsOn değeri sayesinde düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 15nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Through-hole 4-DIP paket türünde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok