Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9110
IRFD9110PBF Hakkında
IRFD9110PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 700mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4-HVMDIP through-hole paketinde sunulan bu komponentin 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge (8.7nC @ 10V) ve input capacitance (200pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü gibi analog ve dijital devre tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok