Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9110

IRFD9110 Hakkında

IRFD9110, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi, 700mA sürekli drain akımı ve 1.2Ω on-resistance (RdsOn) özelliklerine sahiptir. 4-pin DIP paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen IRFD9110, günümüzde üretimi durdurulmuş (obsolete) bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok