Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9110
0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9110
IRFD9110 Hakkında
IRFD9110, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapan bir yarı iletken bileşenidir. 100V drain-source gerilim dayanımı ve 700mA sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını düşük tutarak enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında, güç yönetimi devrelerinde, DC/DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 4-DIP Through Hole paket ile standart elektronik tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok