Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9024PBF

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9024

IRFD9024PBF Hakkında

IRFD9024PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4DIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 280mΩ on-state direnci sunar. Gate şarjı 19nC ve 570pF input kapasitanı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrolü, güç anahtarlaması, ters polarite koruması ve düşük seviye sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.3W maksimum güç dağıtımı ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 960mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok