Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9014PBF

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9014

IRFD9014PBF Hakkında

IRFD9014PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 1.1A sürekli drenaj akımı ile çalışır. Through-hole 4-HVMDIP paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 500mΩ on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRFD9014, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 660mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok