Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD9014

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD9014

IRFD9014 Hakkında

IRFD9014, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj, 1.1A sürekli dren akımı ve 500mOhm maksimum on-resistance ile karakterizedir. 4DIP through-hole paket yapısı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 12nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. Güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve ses amplifikatörü uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 660mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok