Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD9010PBF
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD9010
IRFD9010PBF Hakkında
IRFD9010PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltaj, 1.1A sürekli drain akımı ve 500mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole 4-HVMDIP paket içinde gelen bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir şekilde çalışır. Lojik seviyesi 10V drive voltajı ile kontrol edilebilir ve 11nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Genel amaçlı anahtarlama, güç yönetimi ve motor kontrolü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 580mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok