Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD323
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD323
IRFD323 Hakkında
IRFD323, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 350V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürücü geriliminde 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRFD323, endüstriyel kontrol sistemleri, SMPS devreleri, motor sürücüleri ve çeşitli güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajlı 4-DIP/Hexdip paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok