Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD321
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD321
IRFD321 Hakkında
IRFD321, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 350V Drain-Source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. 4-DIP Through Hole paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı dijital anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Gate şarj değeri 15nC ve düşük input kapasitansı (455pF) hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok