Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD313
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD313
IRFD313 Hakkında
IRFD313, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 300mA sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi devrelerde tercih edilir. 5Ohm on-state direnci (Rds On) ve 7.5nC gate yükü ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 4-DIP hexdip paket ile through-hole montaj destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışır. DC-DC konvertörler, motor kontrolü, relay sürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok