Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD311
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD311
IRFD311 Hakkında
IRFD311, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drain akımı ile çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 3.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 10V drive voltajında çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasında stabillik gösterir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Anahtarlama hızlı, düşük gate charge (7.5nC) değeri ile kontrol edilmesi kolaydır. Industrial otomasyon, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok