Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD224PBF
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD224
IRFD224PBF Hakkında
IRFD224PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source voltaj, 630mA sürekli dren akımı ve 1.1Ω maksimum Rds(on) değeriyle çalışır. 4-DIP Through Hole paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motorlu sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, düşük kapı yükü (14nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde anahtarlama güç kaynakları ve PWM uygulamalarına uygundur. 10V sürücü voltajı ile kontrol edilir ve maksimum ±20V Vgs toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 380mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok